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近日，北京邮电大学物理科学与技术学院吴真平教授团队联合香港理工大学、南开大学等单位，在宽禁带半导体铁电性研究领域取得重要进展。团队实验验证了主流宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）的室温本征铁电性。在当今的信息化社会，半导体、集成电路和芯片是极其重要的基础。氧化镓作为新一代超宽禁带半导体的“明星材料”，凭借其约4.8 eV的超宽禁带和优异的抗击穿特性，在高功率电子器件和日盲探测
